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J-GLOBAL ID：200903016008682738
量子効果デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991162519
Publication number (International publication number)：1993090636
Application date： Jun. 07, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 量子箱を用いた量子効果デバイスにおいて量子箱間の電子遷移確率を制御してバンドギャップの変調の如き量子効果を発現させる。【構成】 n-AlGaAs基体1上にGaAs層2やn-AlGaAs層3によってダブルヘテロ構造の量子箱4の列を構成し、それら量子箱4の間に設けられるポテンシャル障壁を2つのヘテロ接合で異なる高さとなるように設定する。量子箱4上に設けられた制御電極7からの電界効果により、2つのヘテロ接合の一方のチャネルが選択され、ポテンシャル障壁高さの違いからトンネル遷移確率が制御される。このトンネル遷移確率の変化により、バンドギャップの変調等の量子効果が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に並んだ複数の量子箱間のトンネル遷移により導通がはかれる量子効果デバイスであって、前記量子箱に可変の電界をかける導電膜を設け、前記導電膜による電界によって量子箱間のトンネル遷移確率を制御することを特徴とする量子効果デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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