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J-GLOBAL ID：200903016011343332
面発光半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101065
Publication number (International publication number)：1995307525
Application date： May. 16, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】素子抵抗が小さく、良好な結晶性の歪量子井戸活性層を有する面発光半導体レーザを提供すること。【構成】活性層4をn型のInGaP層とn型のGaAs層が交互に積層されたn型半導体多層膜反射鏡2と、p型のInGaP層とp型のGaAs層が交互に積層されたp型半導体多層膜反射鏡6とで挟んだ積層構造をn型GaAs基板1上に配置し、n型及びp型半導体多層膜反射鏡のそれぞれのInGaP層とGaAs層との間の少なくとも一つに、InGaPの禁止帯幅とGaAsの禁止帯幅の中間的な禁止帯幅を持つInGaAsP層を設けた面発光半導体レーザ。半導体多層膜反射鏡の一方は誘電体多層膜反射鏡としてもよい。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、光を発生する活性層をn型のInGaP層とn型のGaAs層が交互に積層された第1の半導体多層膜反射鏡と、p型のInGaP層とp型のGaAs層が交互に積層された第2の半導体多層膜反射鏡とで挟んだ積層構造が形成された面発光半導体レーザにおいて、上記第1及び第2の半導体多層膜反射鏡のそれぞれのInGaP層とGaAs層の間の少なくとも一つに、InGaPの禁止帯幅とGaAsの禁止帯幅の中間的な禁止帯幅を持つInGaAsP層が設けられたことを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (2)：
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