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J-GLOBAL ID：200903016012346270
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996003912
Publication number (International publication number)：1996236874
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子の内部に吸収損失のきわめて低い屈折率導波路を形成する。【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、及び、保護層がこの順で形成され、該保護層上に、少なくとも、リッジストライプ状の第3クラッド層が形成され、該第3クラッド層両側面に埋込層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記保護層は、その屈折率が前記活性層より大きく、且つ、その厚さが、該保護層の実質的なバンドギャップが前記活性層のバンドギャップと比べ大きいか、又はほぼ同等になるよう設定する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、及び、保護層がこの順で形成され、該保護層上に、少なくとも、リッジストライプ状の第3クラッド層が形成され、該第3クラッド層両側面に埋込層が形成されてなる半導体レーザ素子であって、前記保護層は、その屈折率が前記活性層より大きく、且つ、その厚さが、該保護層の実質的なバンドギャップが前記活性層のバンドギャップと比べ大きいか、又はほぼ同等になるよう設定されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S 3/18
, H01L 21/203 M
