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J-GLOBAL ID：200903016021881111

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 佐々木 光夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171758
Publication number (International publication number)：1997023038
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】動作電流を小さく、またばらつきも小さくし、半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第1クラッド層3、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層4、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層5、第2導電型のGaAsのキップ層6、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層8、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成であり、キャップ層および電流狭窄層上に形成される第3クラッド層9、第2導電型のGaAsのコンタクト層が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、電流狭窄層8と第3クラッド層との間にまたは電流狭窄層下部とキャップ層との間に不純物の拡散防止層13、14を設ける。またはストライプ部に高抵抗層を生じさせない。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層、第2導電型のGaAsのキップ層、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成であり、キャップ層および電流狭窄層上に形成される第3クラッド層、第2導電型のGaAsのコンタクト層が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子において、電流狭窄層と第3クラッド層との間に拡散防止層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。