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J-GLOBAL ID：200903016039113464
配線形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142262
Publication number (International publication number)：1994349952
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電解めっきで多層配線を形成する場合においてアスペクト比の大きなコンタクトホール内で接続不良が生じるのを防止する。【構成】 コンタクトホール40a を有する絶縁膜40上に、スパッタ又は蒸着により、カレントフィルム42を堆積する。コンタクトホール40a のアスペクト比が大きいとコンタクトホール底部にカレントフィルム42の切れ目46を生じる。次に配線形成領域を露出する窓44a を有するレジスト44を、カレントフィルム42上に形成する。次に配線形成領域のカレントフィルム42上に、無電解めっきにより、他のカレントフィルム48を堆積する。無電解めっきによれば、切れ目46から露出する層間絶縁膜40上にもこのフィルム48を成長できる。従って配線形成領域全体をカレントフィルム42、48 により覆えるので、これらフィルムを電極として電解めっきを行なうことにより目的を達成できる。
Claim (excerpt)：
層間接続される電気回路素子と該電気回路素子のコンタクトホールとを有する絶縁性の下地上に、電解めっき法を用いて、前記電気回路素子と接続する上層配線を形成するに当り、前記コンタクトホール内外の下地上に、気相成長法を用いて、第一のカレントフィルムを形成する工程と、前記第一のカレントフィルム上に、無電解めっき法を用いて、第一のカレントフィルムの切れ目から露出する領域を覆う第二のカレントフィルムを形成する工程と、前記第二のカレントフィルム上に、電解めっき法を用いて、前記上層配線を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする配線形成方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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