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J-GLOBAL ID：200903016045680540

半導体装置の製造方法

Inventor： 水島 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993209591
Publication number (International publication number)：1995066146
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、浅く高濃度の拡散層を形成することを目的とする。【構成】 本発明では、シリコン基板表面に拡散層を形成するに先立ち、ハロゲンイオンを注入する注入工程と、ボロンを含有する層を堆積する堆積工程と、熱処理により前記層から前記シリコン基板表面にボロンを拡散する拡散工程とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面に、ハロゲンイオンを注入するイオン注入工程と、ボロンを含有する固相または気相の物質を前記シリコン基板の表面に接触せしめ、前記シリコン基板の表面にボロンを拡散する拡散工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平2-205016
  

Cited by examiner (1)

• 特開平2-205016