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J-GLOBAL ID：200903016051148907

半導体素子形成用基板の製造方法

Inventor： 伊藤 辰夫 ,  内山 敦雄 ,  深美 正雄
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991091578
Publication number (International publication number)：1993152549
Application date： Mar. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ボイド不良の発生が防止でき、しかも、ウェーハ同士の重ね合せも正確に行なうことが可能な、半導体素子形成用基板の製造方法を提供する。【構成】 Si単結晶ウェーハ同士を接合させるにあたり、2枚のSi単結晶ウェーハのうちの一方の、接合面とは反対面のOF近傍部分を真空ピンセットで吸着し、この真空ピンセットで吸着したSi単結晶ウェーハのOF部の接合面側の縁と、もう一方のSi単結晶ウェーハのOF部の接合面側の縁とを軽く接触させ、その際、両Si単結晶ウェーハのOF部とは反対側に位置する端部の接合面同士の間隔が1mm以下となるようにし、その後、真空ピンセットによるSi単結晶ウェーハの吸着状態を解除して、当該Si単結晶ウェーハの自重により、2枚のSi単結晶ウェーハを接触させるようにして接合するものである。【効果】 半導体素子形成用基板の品質や製造の歩留は大幅に改善されると共に、それを利用して製造される半導体素子の信頼性も合わせて改善される。

Claim (excerpt)：

少なくとも主面の一方を鏡面化した2枚のSi単結晶ウェーハを使用して、前記Si単結晶ウェーハの接合部分を構成する鏡面側の主面同士、または前記鏡面の片側若しくは双方の側に、予め酸化によりシリコン酸化物の薄層を形成させたSi単結晶ウェーハ同士を接合させるにあたり、前記2枚のSi単結晶ウェーハのうちの一方の、該Si単結晶ウェーハの接合面とは反対面のOF(オリエンテーションフラット)近傍部分を真空ピンセットで吸着し、この真空ピンセットで吸着したSi単結晶ウェーハのOF部の接合面側の縁と、接合面を上方に向けほぼ水平状態で固定した、もう一方のSi単結晶ウェーハのOF部の接合面側の縁とを軽く接触させ、その際、両Si単結晶ウェーハのOF部とは反対側に位置する端部の接合面同士の間隔が1mm以下となるようにし、その後、真空ピンセットによるSi単結晶ウェーハの吸着状態を解除して、当該Si単結晶ウェーハの自重により、2枚のSi単結晶ウェーハを接触させるようにして接合することを特徴とする半導体素子形成用基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02