Pat
J-GLOBAL ID：200903016059378111
光学素子
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
雨宮 正季
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309204
Publication number (International publication number)：1994095179
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体表面、あるいは界面において、ドーパントの蒸着、吸着、局部濃縮を起こすことにより、励起子(エキシトン)キラー、あるいはキャリヤキラーを誘起し、高速な光応答特性を有する光学素子を提供する。【構成】 半導体を主成分として構成される光学素子、もしくはその光学素子のもとになる原材料1に、アルカリ金属、あるいはアルカリ金属以外の正、あるいは負の一価元素を単体、化合物もしくは酸化物、あるいはイオンととしてドーピングしたことを特徴とする。【効果】 ドーパントとしての一価イオン元素の蒸着、吸着、濃縮、ドーピングにより、従来の半導体では得ることができなかった、時間応答の可制御性を実現できる。このため、高速光スイッチ、変調器等のデバイスとしての応用の他に、光パルス圧縮、光波形整形、光ソリトンの発生、位相共役像の発生、量子雑音レベルの抑圧、量子非破壊測定等の各分野において、空間並列処理を含め、簡便に、しかも安価に必要な材料が確保できる等、大きな貢献を果たす。
Claim (excerpt)：
半導体を主成分として構成される光学素子、もしくはその光学素子のもとになる原材料に、アルカリ金属、あるいはアルカリ金属以外の正、あるいは負の一価元素を単体、化合物もしくは酸化物、あるいはイオンととしてドーピングしたことを特徴とする光学素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
