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J-GLOBAL ID：200903016062455992

磁性薄膜構造体

Inventor： 井上 哲夫 ,  福家 ひろみ ,  富田 宏 ,  佐藤 敏郎 ,  溝口 徹彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993335268
Publication number (International publication number)：1995201563
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 非晶質磁性層と下地等との十分な付着力が得られると共に、非晶質磁性層の特性劣化を抑制することを可能にした磁性薄膜構造体を提供する。【構成】 基板1上に酸化物材料からなる絶縁性下地層2を設ける。この絶縁性下地層2上に、Nb、Ta、Ti、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも 1種の元素を主成分とする中間金属層3を形成し、この中間金属層3を介して、Co、FeおよびNiから選ばれる少なくとも 1種の強磁性元素を含む非晶質磁性層4を形成する。

Claim (excerpt)：

酸化物材料からなる絶縁性下地と、前記絶縁性下地上に設けられ、Nb、Ta、Ti、ZrおよびHfから選ばれる少なくとも 1種の元素を主成分とする中間金属層と、前記中間金属層上に設けられ、Co、FeおよびNiから選ばれる少なくとも 1種の強磁性元素を含む非晶質磁性層とを具備することを特徴とする磁性薄膜構造体。

IPC (4)：

H01F 10/14 ,  C22C 45/02 ,  C22C 45/04 ,  C23C 14/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-144006
  
• 特開昭61-108113