静電容量型トランスデューサ用信号処理回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331355
Publication number (International publication number)：1998141992
Application date： Nov. 07, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】複数のセンシング・コンデンサの静電容量の相対的差異により物理量を測定する静電容量型トランスデューサにおいてはオフセット用付加コンデンサが必要であり、製作工程の複雑化を招いていた。また、物理量の入力時無入力時を問わず、周囲温度変化等の外乱により出力のドリフトを生じ、測定誤差の要因となっていた。【解決手段】センシング・コンデンサと抵抗で構成された1対の遅延回路の信号が入力される回路にエッジ比較回路を用い、端点のエッジを比較し、2つの端点の信号のエッジのどちらが進相か遅相かに応じて2つの節点の一方にパルスを出力する。これによってセンシング・コンデンサの容量の差分を求めて、物理量を検出する

Claim (excerpt)：

1軸方向の物理量の作用によって相互間距離が増加または減少するように配置された電極対によって第1のセンシング・コンデンサを構成し、逆に、相互間距離が減少または増加するように配置された電極対によって第2のセンシング・コンデンサを構成し、第1のセンシング・コンデンサと第2のセンシング・コンデンサの容量の差分の変化に基づいて作用した物理量を検出できる静電容量型トランスデューサに用いる信号処理回路であって、前記第1のセンシング・コンデンサを構成する電極対の一端と前記第2のセンシング・コンデンサを構成する電極対の一端とを所定の電圧に固定するとともに、所定周波数の信号を発生させる基準信号発生源と、前記基準信号発生源の出力端に第1の端点が接続され、前記第1のセンシング・コンデンサを構成する電極の他端に第2の端点が接続され、前記第1のセンシング・コンデンサの容量に応じて前記基準信号発生源の出力信号を位相変化させた第1の位相遅延信号を前記第2の端点から出力する、第1の抵抗素子と、前記基準信号発生源の出力端に第1の端点が接続され、前記第2のセンシング・コンデンサを構成する電極の他端に第2の端点が接続され、前記第1のセンシング・コンデンサの容量に応じて前記基準信号発生源の出力信号を位相変化させた第2の位相遅延信号を前記第2の端点から出力する、第2の抵抗素子と、第1の入力端が前記第1の抵抗素子の第2の端点に接続され、第2の入力端が前記第2の抵抗素子の第2の端点に接続され、前記第1の入力端に与えられた前記第1の位相遅延信号と前記第2の入力端に与えられた前記第2の位相遅延信号、の立ち下がりまたは立ち上がりのエッジ比較によって、前記第1の位相遅延信号と前記第2の位相遅延信号の位相差の絶対値とその正負に対応する信号を出力する信号出力回路を備えた、ことを特徴とする静電容量の変化を利用した静電容量型トランスデューサに用いる信号処理回路

IPC (3)：

G01D 5/24 , G01L 1/14 , G01P 15/125

FI (5)：

G01D 5/24 B , G01L 1/14 A , G01P 15/125 , G01D 5/24 G , G01D 5/24 U

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