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J-GLOBAL ID：200903016067112376

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995111530
Publication number (International publication number)：1996307005
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体レーザの閾値電流や動作電流を低減させ、温度特性を従来よりも格段に向上させるとともに、高温動作と高出力動作を同時に達成し、レーザ素子の信頼性を改善してこれまでより高出力特性の必要な応用に対応することにある。【構成】 素子断面のリッジストライプ導波路構造3,5,6,7をGaAs基板1上にAlGaInP材料を用いて作製する。活性層構造は、窒素を含有して圧縮歪1.8%を有する量子井戸層と窒素を含有して引張歪0.5%を有する量子障壁層からなる歪を補償した多重量子井戸構造13とする。【効果】 本発明では、従来達成困難であった70°Cにおける長期安定動作を達成した。これにより、動作温度70°Cにおいて70mW光出力動作時に5000時間以上の長期安定動作を得た。

Claim (excerpt)：

基板上に設けた発光活性層と光導波層からなる半導体レーザ素子において、該発光活性層が窒素を導入することにより格子歪を導入した直接遷移型の材料からなっており、該発光活性層が単一または多重量子井戸構造であるときに少なくとも量子井戸層には窒素を導入することにより格子歪を有する歪量子井戸層となっていることを特徴とする半導体レーザ素子。