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J-GLOBAL ID：200903016070242035

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 岡本 裕
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994264588
Publication number (International publication number)：1996107214
Application date： Oct. 04, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 活性層としての半導体層が大気中の不純物によって汚染されるのを防止して、閾値電圧の変動を防止する。【構成】 活性層としての多結晶Si層16を形成するための非晶質Si層15を堆積時から大気と遮断した状態で、その表面にSiO2 膜17を形成する。このため、非晶質Si層15及び多結晶Si層16が大気中の不純物によって汚染されるのを防止することができ、この汚染による閾値電圧の変動を防止することができる。

Claim (excerpt)：

活性層にするための半導体層を堆積させる工程と、前記堆積時から大気と遮断した状態の前記半導体層の表面に半導体酸化膜を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 B