Pat
J-GLOBAL ID:200903016072472321

半導体製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993119682
Publication number (International publication number):1994333799
Application date: May. 21, 1993
Publication date: Dec. 02, 1994
Summary:
【要約】【目的】本発明は、半導体製造工程にて半導体ウェハに写真蝕刻処理を施す露光装置ステッパにおいて、安定した露光処理を可能とし、生産性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、ステージホルダ11の中心にバキューム穴12を形成し、そのバキューム穴12を中心にホルダ11の表面に同心円状に設けられるバキューム溝13a〜13eと上記バキューム穴12とを連絡用バキューム溝14で接続する。また、バキューム溝13a,13bの相互間に、センタアップ/ダウンピン15とのクリアランスを保ちつつピン穴16を設ける。そして、このピン穴16とピン15との間を機密用リング18でシーリングすることで、ピン穴16からの外気のリーク量を軽減し、吸着力の低下を防止する構成となっている。
Claim (excerpt):
半導体ウェハが載置されるものであって、中心部に設けられた吸気穴、この吸気穴を中心に同心円状に設けられた複数の吸着溝、この複数の吸着溝を結ぶべく、前記吸着穴より放射状に設けられた連絡溝、および前記吸着溝の相互間に前記半導体ウェハの受け渡しを行うべく設けられた移載穴を有するホルダと、このホルダの、前記吸気穴を介して前記半導体ウェハの吸引を行う吸引機構と、前記ホルダの、前記移載穴との隙間を保ちつつ、前記ホルダの載置面より突出自在に設けられた受渡機構と、この受渡機構と前記移載穴との隙間を埋めるための埋設部材とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3):
H01L 21/027 ,  H01L 21/68 ,  B23Q 3/08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭63-142829
  • 特開昭63-142829

Return to Previous Page