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J-GLOBAL ID：200903016084530157

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 清水 俊雄 ,  久保田 剛 ,  古山 充利
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996105361
Publication number (International publication number)：1997293718
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】溶融された金属材料をコンタクトホールやトレンチに完全に埋め込むことができる半導体製造装置を提供すること。【解決手段】半導体基板9と、半導体基板9上に成膜した金属材料を溶融可能な溶融エネルギのレーザ光を出力する溶融用エキシマレーザ3と、溶融用エキシマレーザ3による溶融に先だって、溶融エネルギよりも低いエネルギを有するレーザ光を半導体基板9上の金属材料に照射して予備加熱する加熱用エキシマレーザ1とを具備する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に成膜した金属材料を溶融可能な溶融エネルギのレーザ光を出力する溶融用エキシマレーザと、この溶融用エキシマレーザによる金属材料の溶融に先だって、前記溶融エネルギよりも低いエネルギを有するレーザ光を前記半導体基板上の金属材料に照射して予備加熱する加熱用エキシマレーザと、を具備することを特徴とする半導体製造装置。