Pat

J-GLOBAL ID：200903016087840351

化合物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 西本 浩之 ,  友村 好隆 ,  山本 圭 ,  岸本 克彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 大前 要 ,  板東 義文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006289364
Publication number (International publication number)：2008108856
Application date： Oct. 25, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

【課題】素子特性の劣化を抑制することができる化合物半導体素子を提供することを主要な目的とする。【解決手段】基板101の上に、上下に隣接して、不純物がドープされたp型クラッド層106と、不純物がドープされていない活性層104とが設けられている。p型クラッド層106と活性層104との間に、歪を有する半導体層105が設けられている。歪を有する半導体層105の結晶は、その格子間結合に歪がかかることにより、無歪の場合に比べて結晶の内部エネルギーが高い状態になる。そのため、ドーパントは、歪のかかったこの格子間を通過し難くなくなる。こうして、p型クラッド層106から活性層104へのドーパントの拡散が防がれる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に上下に隣接して設けられた、不純物がドープされた第1の半導体層と、不純物がドープされていない、若しくは前記第1の半導体層よりも低濃度にドープされた第2の半導体層とを備え、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に、歪を有する第3の半導体層が設けられている化合物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S5/323 ,  H01L33/00 A

F-Term (16)：

5F041AA31 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F173AA05 ,  5F173AG08 ,  5F173AH02 ,  5F173AJ02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR78

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-285417   Applicant：富士電機株式会社