Pat
J-GLOBAL ID：200903016089588498
半導体集積回路用配線およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992182832
Publication number (International publication number)：1994005713
Application date： Jun. 18, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 積層構造の半導体集積回路用配線のスルーホールのEM耐性を向上させ、信頼性を向上させる。【構成】 絶縁層6を介して下層配線1と上層配線2を多層形成する。絶縁層6にスルーホール3を形成し、この中に配線1、2とは異なる種類の金属または合金からなる配線接続用金属層8を充填形成する。下層配線1を陰極側配線とし、上層配線2を陽極側配線とし、この陽極側となる上層配線2のスルーホール3に対応するパッド部9Bの一部周縁に所要長さの配線部10を延長形成する。
Claim (excerpt)：
二層以上の多層配線構造を有する配線の下層と上層の配線がスルーホールによって電気的に接続されており、当該スルーホール内に配線層とは異なる種類の金属または合金が電流経路を横切る状態で存在する半導体集積回路用配線において、上層配線と下層配線のうち陽極側となる配線のスルーホールに対応するパッド部の一部周縁に所要長さの配線部が延長形成されていることを特徴とする半導体集積回路用配線。
IPC (2)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
