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J-GLOBAL ID:200903016092220507
多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993187290
Publication number (International publication number):1995082041
Application date: Jun. 30, 1993
Publication date: Mar. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 高周波領域における回路の損失が低く、高いQ値が得られる多層セラミック部品とその製造方法とを提供する。【構成】 セラミック素体に挟まれた内部導体層を有する多層セラミック部品を製造するに際し、導体ペーストに含まれる平均径1〜4μm の導体粒子を焼成により融合一体化させて、大径化する。焼成後の導体粒子の平均径は、内部導体層が結晶化したガラス粒子を含む場合には6μm 以上、非晶質のガラス粒子を含む場合には9μm 以上、ガラス粒子を含まない場合には15μm 以上とする。
Claim (excerpt):
絶縁性のセラミック材料層上に、導体粉およびガラス粉を含有する内部導体のパターンを形成し、前記内部導体のパターン上に絶縁性のセラミック材料層を積層した後、焼成する工程を有する多層セラミック部品の製造方法であって、前記導体粉が平均径1〜4μm の導体粒子から構成され、前記ガラス粉が非晶質のガラス粒子から構成され、前記導体粉の融点未満の温度で焼成した後に、導体粒子が融合一体化により平均径6μm 以上となっており、かつ、前記ガラス粒子が結晶化していることを特徴とする多層セラミック部品の製造方法。
IPC (4):
C04B 35/64
, H01B 1/16
, H05K 1/09
, H05K 3/46
Patent cited by the Patent:
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