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J-GLOBAL ID：200903016112104800

スパッタリング装置及びスパッタリング方法並びにスピンバルブ膜の成膜方法

Inventor： 高田 昭夫 ,  大河原 重久 ,  池田 智
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  日本真空技術株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133937
Publication number (International publication number)：1999328628
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 小型のターゲットを用いても、大口径のウエハに対して、膜厚分布のばらつきを少なく薄膜を形成することのできるスパッタリング装置及びスパッタリング方法並びにスピンバルブ膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 このスパッタリング装置は、内部に基板及びターゲットが対向配置されるチャンバと、スパッタガスの吹き出し口が複数形成されてなるスパッタガス導入管とを備え、上記スパッタガス導入管に形成された複数の吹き出し口からスパッタガスをチャンバ内に導入し、当該スパッタガスによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

内部に基板及びターゲットが対向配置されるチャンバと、スパッタガスの吹き出し口が複数形成されてなるスパッタガス導入管とを備え、上記スパッタガス導入管に形成された複数の吹き出し口からスパッタガスをチャンバ内に導入し、当該スパッタガスによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (5)：

G11B 5/39 ,  C23C 14/34 ,  H01F 41/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 43/12

FI (5)：

G11B 5/39 ,  C23C 14/34 M ,  H01F 41/18 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特公昭47-045649
  
• 特開平4-002771
  
• スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-136406   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 金属膜スパッタリング成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-183835   Applicant：株式会社日立製作所
• 酸化物超電導薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-130027   Applicant：三洋電機株式会社
• スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-190782   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭58-199861