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J-GLOBAL ID：200903016146698319

ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

Inventor： 湯浅 基和 ,  平木 昭夫 ,  川原田 洋
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991237870
Publication number (International publication number)：1993009736
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】基材との密着性に優れたダイヤモンド状炭素薄膜を高速、かつ低温で製造する。【構成】原料ガスとして、炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス、あるいは、炭素含有ガス、水素ガスおよび希ガスからなる混合ガスを用い、電子サイクロトロン共鳴法によってダイヤモンド状炭素薄膜を得る。

Claim (excerpt)：

炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス、あるいは炭素含有ガス、水素ガスおよび希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起し、基材に接触させることを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-265890
  
• 特開平1-298095
  
• 特開平1-263277
  
• 特開平2-009787