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J-GLOBAL ID:200903016154931626

FET帯域増幅器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 雨貝 正彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001047323
Publication number (International publication number):2002252523
Application date: Feb. 22, 2001
Publication date: Sep. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】 高い利得を得ることができるFET帯域増幅器を提供すること。【解決手段】 FET帯域増幅器は、半導体基板上に一体形成された多段増幅器1と、この多段増幅器1に外付け部品として接続されるBPF2とを含んで構成されている。多段増幅器1は、5段の増幅器11〜15と、その中間に挿入されたBPF16を備えている。増幅器11〜15のそれぞれは、pチャネルFETを増幅素子として用いた差動増幅器として動作する。BPF16は、FET帯域増幅器全体の増幅帯域よりも広い帯域成分を通過させる。3段の増幅器11〜13によって増幅された信号の低域成分を除去することにより1/fノイズを低減することができ、高域成分を除去することにより熱雑音を低減することができる。これにより、BPF16の後段に接続された増幅器14、15のそれぞれが、ノイズ成分によって飽和することがない。
Claim (excerpt):
多段増幅器と、その前段に設けられた第1の帯域通過フィルタとを有するFET帯域増幅器において、前記多段増幅器は、FETが増幅素子として用いられる縦続接続された複数段の増幅器と、前記複数段の増幅器の中段に挿入されて増幅帯域よりも広い通過帯域が設定された第2の帯域通過フィルタとを備え、前記増幅器の少なくとも初段からn段目までの前記FETとしてpチャネルFETを用い、前記多段増幅器の構成部品を半導体基板上に一体形成するとともに、前記第1の帯域通過フィルタを外付け部品として前記多段増幅器に接続することを特徴とするFET帯域増幅器。
F-Term (31):
5J092AA01 ,  5J092AA12 ,  5J092AA22 ,  5J092CA18 ,  5J092CA25 ,  5J092CA32 ,  5J092CA44 ,  5J092CA61 ,  5J092FA17 ,  5J092FA20 ,  5J092HA09 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092KA02 ,  5J092KA05 ,  5J092KA14 ,  5J092KA42 ,  5J092KA44 ,  5J092KA46 ,  5J092KA47 ,  5J092MA08 ,  5J092MA11 ,  5J092MA21 ,  5J092QA04 ,  5J092TA01 ,  5J092UR02 ,  5J092UR03 ,  5J092UR13 ,  5J092VL03 ,  5J092VL05 ,  5J092VL09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 受信回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-202253   Applicant:株式会社東芝
  • 同相モード安定性が強化された差動増幅器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-036245   Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
  • 増幅回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-058997   Applicant:日本電気エンジニアリング株式会社
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