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J-GLOBAL ID：200903016169120608

表面処理方法

Inventor： 西野 弘剛 ,  伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181435
Publication number (International publication number)：1994029264
Application date： Jul. 09, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体,金属表面のハロゲン除去を目的とする。【構成】 光や荷電粒子の照射や高温のガスの接触を間欠的に,もしくは試料裏面を冷却しながら行うことにより、あるいは加熱や光照射などを行った後、試料表面構成原子と揮発性の化合物をつくる電気的に中性な非ハロゲンガスを接触させることにより残留ハロゲンを除去する。【効果】 半導体素子の特性や歩留りが向上する。

Claim (excerpt)：

被処理体にハロゲン元素を含むガスを用いる処理を行う工程と、前記被処理体の表面を大気に晒すことなく、且つ前記被処理体の内部を所定温度以下に保持しながら、前記被処理体表面にエネルギービームを照射するか、或いは活性化されたガスを接触させる工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-096226
  
• 特開昭62-086731
  
• 特開平2-185030
  
• 特開平2-230731