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J-GLOBAL ID：200903016188714233
高周波増幅回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009127
Publication number (International publication number)：1996204472
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 FETを用いた高周波増幅回路において、ドレイン及びゲートの各バイアス回路への高周波電力の洩れをなくすために高インピーダンスとする場合、小型の回路素子で実現する。【構成】 FET5のゲートとVg端子15との間に、インダクタ16とキャパシタ17との並列共振回路を設ける。またドレインとVd端子14との間にインダクタ10とキャパシタ11との並列共振回路を設ける。これ等並列共振回路を信号周波数と同一とすることで、各バイアス回路のインピーダンスは略無限大となる。素子10,11,16,17は数nH,数pHの小型となる。
Claim (excerpt)：
FET素子を増幅素子として使用した高周波増幅回路であって、前記FET素子のドレイン端子及びゲート端子とドレイン電源及びゲート電源との各間に夫々設けられた誘導性素子と容量性素子との並列共振回路を含むことを特徴とする高周波増幅回路。
IPC (2)：
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