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J-GLOBAL ID：200903016195898641

強い電界に対する保護構造を備えた集積装置

Inventor： クラウディーオ・コンティエーロ ,  リッカルド・デペトロ
Applicant, Patent owner： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エッセ エッレ エーレ
Agent (1)： 筒井 大和 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995290092
Publication number (International publication number)：1996255906
Application date： Nov. 08, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】 集積装置において、電界に対する保護構造を提供する。【解決手段】 保護構造は、本装置のゲート/ソース領域6に電気的に接続され、かつ第1の電位を有する櫛形部34と、本装置のドレイン領域15に電気的に接続され、かつ第2の電位を有する櫛形部35により形成されている。櫛形部34は幾つかの隙間により分離された指状部32を備えており、櫛形部35は前記の複数の隙間に伸び、かつ櫛形構造を形成する指状部33を備えている。これにより、相互に組み合わされる櫛形構造の対により形成され、かつ、第1および第2の電位の中間の電位を有する保護領域に、半導体物質の基板1が面している。

Claim (excerpt)：

表面(11)を呈し、少なくとも第1の電位を有する第1の装置領域(6)と、第1の電位とは異なる第2の電位を有する第2の装置領域(15)とを含む半導体物質の基板(1)と、前記半導体物質の基板(1)の前記表面(11)上に伸びる電位分布領域(34、35;70、73;82;83;92)を含む、電界に対する保護構造とを有し、前記電位分布領域は、前記第1の装置領域(6)に電気的に接続された第1の導電物質領域(34;70)と、前記第2の装置領域(15)に電気的に接続された第2の導電物質領域(35;73;82;83;92)とを含んでいる集積装置であって、前記第1の導電物質領域(34;70)が櫛形形状であり、複数の隙間により分離された第1の複数の指状部(32;71)を備え、前記第2の導電物質領域(35;73;82;83)が、前記複数の隙間に伸長する部分を有し、それにより、組み合わされた1対の櫛形構造により形成され、前記第1および第2の電位の中間電位を有する保護領域に前記半導体物質の基板(1)が面していることを特徴とする集積装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-150275
  
• 特開昭53-072577