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J-GLOBAL ID：200903016203827694
シリコン酸化膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269390
Publication number (International publication number)：1994093451
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 膜質の向上したシリコン酸化膜の製造方法を提供する。【構成】 トリアルコキシシランとオゾンを原料ガスとし、熱化学蒸着法により、成膜温度100°C〜260°Cで基材上にシリコン酸化膜を製造する方法。【効果】 本発明によれば、ステップカバーレッジが良好で、平坦化に優れ、下地基材の特性に悪影響を及ぼさないシリコン酸化膜が製造出来る。
Claim (excerpt)：
トリアルコキシシランとオゾンを原料ガスとし、熱化学蒸着法により、基材上にシリコン酸化膜を製造するに際し、成膜温度を100°C〜260°Cとすることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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