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J-GLOBAL ID：200903016204365996

マスクデータの補正方法、その装置、およびフォトマスク製造方法

Inventor： 川島 淳志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001244062
Publication number (International publication number)：2003057801
Application date： Aug. 10, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】プロセス近接効果補正(PPC)におけるパターンの測長から検証までの労力と時間を削減する。【解決手段】光近接効果補正を施して設計された原マスクパターンの設計データからパターンのデータを抽出し(ST6)、抽出したパターンの座標情報と輪郭エッジ情報とを用いて、パターンの線幅の設計値を算出し(ST81)、原マスクパターンを用いて作製した試料において、パターンに対応した実パターンを、抽出したパターンの座標情報に基づいて特定し、特定した実パターンを測長して線幅の実測値を求め(ST82)、設計値と実測値との差ΔWを算出し(ST10)、差に応じて設計データの補正量を変更する。

Claim (excerpt)：

光近接効果補正を施して設計された原マスクパターンの設計データからパターンのデータを抽出し、抽出したパターンの座標情報と輪郭エッジ情報とを用いて、パターンの線幅の設計値を算出し、原マスクパターンを用いて作製した試料において、上記パターンに対応した実パターンを、抽出したパターンの座標情報に基づいて特定し、特定した実パターンを測長して線幅の実測値を求め、上記設計値と上記実測値との差を算出し、差に応じて設計データの補正量を変更するマスクデータの補正方法。

FI (2)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S

F-Term (4)：

2H095BB01 ,  2H095BD03 ,  2H095BD28 ,  2H095BD29