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J-GLOBAL ID：200903016214203978

ごみから水素および一酸化炭素に富むガスの製造方法および装置

Inventor：
大▲崎▼ 功三

About 大▲崎▼ 功三

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森谷 篤

About 森谷 篤

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矢鳴 英明

About 矢鳴 英明

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柳澤 譲

About 柳澤 譲


Applicant, Patent owner：
東洋エンジニアリング株式会社

About 東洋エンジニアリング株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998032830
Publication number (International publication number)：1999228974
Application date： Feb. 16, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ごみから水素および一酸化炭素に富むガスの製造。【解決手段】 反応器にごみと酸素が供給されて部分酸化され850°C以上のガスとされ、一方、灰分は反応器から850°C以上でスラグとして排出される部分酸化工程と、前記ガスが急冷されるとともに該ガスに含まれるHClのほぼ全量、HCNのほぼ全量およびダストの一部を除去するガスの冷却工程と、前記工程で除去できなかったダストおよび含硫黄成分等をプロセスの供給原料することができる程度に精製する精製工程とからなり、これらの工程を経て水素および一酸化炭素に富むガスを回収し、該ガスを種々のプロセスの供給原料とする方法およびそれに用いる装置。
Claim (excerpt)：
ごみを原料とし、該原料から他のプロセスの供給原料として許容される程度に精製された可燃性ガスを得、該可燃性ガスを該プロセスの供給原料として用いるにあたり、ごみに含まれる炭素源と酸素の特定の所定量が反応器に供給され、該反応器内で部分酸化され発生するHCl,HCN,含硫黄成分およびダストを含むガスがダイオキシンの再合成を抑制するような温度に維持されたまま次工程に供給され、一方、灰分はダイオキシンが分解されるような温度に維持されてスラグとして排出される部分酸化工程と、前記部分酸化工程から前記温度に維持され排出されたガスがダイオキシンの再合成を抑制するように急冷され、かつ、該ガス中のHClのほぼ全量、HCNのほぼ全量およびダストの一部が除去されるガスの冷却工程と、前記ガスの冷却工程から排出されたガスが精製塔に導かれ、プロセスへの原料として許容されるように含硫黄成分およびダストが除去され、H2およびCOに富むガスとされるガスの精製工程とからなることを特徴とするごみから水素および一酸化炭素に富むガスの製造方法。
IPC (3)：
C10J 3/00 ,  B09B 3/00 ZAB ,  B09B 3/00
FI (4)：
C10J 3/00 A ,  C10J 3/00 F ,  B09B 3/00 ZAB ,  B09B 3/00 302 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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