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J-GLOBAL ID：200903016219462963
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106555
Publication number (International publication number)：1994196757
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れた窒化インジウムガリウム半導体の成長方法を提供する。【構成】 原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、窒素をキャリアガスとして、600°Cより高い温度で、窒化ガリウム層上に、窒化インジウムガリウム層を成長させる。
Claim (excerpt)：
原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用いて、有機金属気相成長法により窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法において、前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用い、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウム層上に、窒化インジウムガリウム層を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 29/205
