高融点金属膜の成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994263805
Publication number (International publication number)：1996124876
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】微細なコンタクトホール4を有するSiOx 系層間絶縁膜3上に、良好な密着性とカバレージをもってブランケット・タングステン(Blk-W)膜10を成膜し、配線の信頼性を高める。【構成】 Blk-W-CVDを行う前に、最表面にTi系密着層7を有する基板を加熱しながらシラン系ガス雰囲気に曝すことにより、その表面にSi核を形成する。この後、WF6 ガスのH2 還元によるW核9の形成、およびSiH4 還元によるBlk-W膜10の高速成長を共に表面反応律速条件下で行う。Si核形成前に基板を予備加熱すれば、Si系形成の均一性が向上する。W核形成は、450°C以上の温度域で高度に均一化できる。高速成長時の基板加熱温度をW核形成時よりも下げれば、基板に加わる熱ストレスが緩和され、Blk-W膜10と基板との間の密着性がさらに改善される。

Claim (excerpt)：

基板を加熱しながらシラン系ガスを含む雰囲気に曝す前処理工程と、CVDにより前記基板上に高融点金属膜を成膜する成膜工程とを有する高融点金属膜の成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/46 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-120725
特開平3-155618
特開平3-082034

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