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J-GLOBAL ID：200903016230238781

素子分離領域の形成方法

Inventor： 東 賢一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992110216
Publication number (International publication number)：1993304143
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜2、ポリシリコン膜3及びシリコン窒化膜4を形成し、パターニング後、素子分離領域7となる部分のシリコン窒化膜4を除去する。次に全面にシリコン酸化膜5を堆積し、エッチバックにより、サイドウォール6を形成する。次に、シリコン窒化膜4及びサイドウォール6をマスクとして、シリコン基板1の表面から700〜800Åの深さまでエッチングする。その後、サイドウォール6を除去し、酸化により素子分離領域7を形成する。【効果】 素子分離領域となるロコス酸化膜の膜厚を十分確保でき、かつ、基板の深さ方向にも実効的な素子分離距離を確保できる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に第1の酸化膜、ポリシリコン膜及び窒化膜を順に形成する工程と、パターニング及びエッチングにより素子分離領域となる部分の前記窒化膜を除去し、前記ポリシリコン膜表面を露出させ、開口部を形成する工程と、全面に第2の酸化膜を形成し、エッチバックにより前記開口部の側壁にサイドウォールを形成する工程と、前記サイドウォールをマスクとして、前記ポリシリコン膜及び第1の酸化膜を除去し、所定の深さまで前記基板をエッチングする工程と、前記サイドウォールを除去した後、酸化を行い、素子分離領域を形成する工程とを有することを特徴とする、素子分離領域の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76