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J-GLOBAL ID：200903016233300747
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993304693
Publication number (International publication number)：1995134894
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 接点の取扱いに十分な注意を払うことなく、また空間配置や筐体の大きさを考慮することなく、着脱自在に使用可能な半導体記憶装置を実現する。【構成】 記憶制御装置本体1から半導体記憶装置2への電源は記憶制御装置本体1側の静電容量カプラ極11,12と半導体記憶装置2側の静電容量カプラ極21,22との間で効率よく伝送される。記憶制御装置本体1と半導体記憶装置2との間の信号は記憶制御装置本体1側の静電容量カプラ極13,14と半導体記憶装置2側の静電容量カプラ極23,24との間で効率よく伝送される。【効果】 記憶制御装置本体1と半導体記憶装置2との間の電源供給及び信号の入出力を無接点で行うことができ、半導体記憶装置2の記憶制御装置本体1への着脱を頻繁にかつ問題なく行うことができる。
Claim (excerpt)：
記憶制御装置及び外部記憶装置における電源及び信号を静電的に結合したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 5/00 301
, G06K 19/07
G06K 19/00 N
, G06K 19/00 H
