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J-GLOBAL ID：200903016238320851

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
中林 敬哉

About 中林 敬哉


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389628
Publication number (International publication number)：2002194552
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Jul. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 真空排気後から所定のプロセスガス圧に達するまでに要する時間を大幅に短縮することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 ガス貯蔵室3に、予め所定量のプロセスガスを貯蔵しておき、ゲートバルブ5を開状態にすることによって、ガス貯蔵室3に貯蔵されたプロセスガスがプロセス室2に導入されるので、プロセス室2は、瞬時に所定のプロセスガス圧に達する。
Claim (excerpt)：
プラズマにより被処理物を表面処理するプロセス室と、該プロセス室を排気する排気手段と、前記プロセス室にプロセスガスを供給するガス供給手段とを備え、前記排気手段によるプロセスガスの排気と、前記ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより被処理物の表面処理中のプロセス室内のプロセスガスの圧力が一定に維持されるプラズマ処理装置において、前記プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵するガス貯蔵室と、該ガス貯蔵室と前記プロセス室とのプロセスガスの連通を制御するための開閉手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3)：
C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 A
F-Term (27)：
4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA11 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BB13 ,  5F004BC03 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004CA07 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EC07 ,  5F045EE01 ,  5F045EG02 ,  5F045EH05 ,  5F045EN04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭62-106627
  • 真空処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-094893   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開昭63-062325

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