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J-GLOBAL ID:200903016246771340
水素透過膜およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001306598
Publication number (International publication number):2003112020
Application date: Oct. 02, 2001
Publication date: Apr. 15, 2003
Summary:
【要約】【課題】 水素透過膜の金属間の拡散による水素透過特性の低下を低減させることのできる技術を提供する。【解決手段】 水素透過膜234は、VA族元素を含む金属ベース層Laと、金属ベース層Laの2つの面の双方にそれぞれ形成され、NiとCoとのうちから選択された元素を含む2つの金属中間層Lb1,Lb2と、2つの金属中間層の金属ベース層が形成されていない面にそれぞれ形成され、Pdを含む2つの金属被覆層Lc1,Lc2と、を備えている。
Claim (excerpt):
水素を選択的に透過させる水素透過膜であって、VA族元素を含む金属ベース層と、前記金属ベース層の2つの面のうちの少なくとも一方に形成され、Ni(ニッケル)とCo(コバルト)とのうちから選択された元素を含む金属中間層と、前記金属中間層の2つの面のうち、前記金属ベース層が形成されていない面に形成され、Pd(パラジウム)を含む金属被覆層と、を備えることを特徴とする水素透過膜。
IPC (4):
B01D 71/02 500
, B01D 53/22
, H01M 8/06
, C01B 3/56
FI (4):
B01D 71/02 500
, B01D 53/22
, H01M 8/06 R
, C01B 3/56 Z
F-Term (18):
4D006GA41
, 4D006MA06
, 4D006MC03X
, 4D006NA45
, 4D006NA50
, 4D006NA51
, 4D006PA03
, 4D006PB18
, 4D006PB66
, 4D006PC80
, 4G040FA06
, 4G040FC01
, 4G040FD04
, 4G040FD06
, 4G040FE01
, 5H027AA02
, 5H027BA01
, 5H027BA16
Patent cited by the Patent:
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