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J-GLOBAL ID：200903016265194302

半導体装置

Inventor： 伊藤 善孝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000267070
Publication number (International publication number)：2002076326
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】電流を半導体基板の表面と裏面の間に流す構造において、半導体基板の厚さを極限まで薄くして大口径のシリコン基板で低損失な半導体装置を実現する。【解決手段】貼り合わせた半導体基板の一方の面に半導体装置を形成し、その反対裏面をエッチングすることで極めて薄いシリコン層の半導体装置が実現できる。裏面に金属電極を形成し、厚く残されたデバイスの周辺のシリコン基板による額縁を有して分割されているため取り扱いが通常の半導体チップと同じように出来るほか、デバイス部のシリコン層が薄くできるので余分な活性層が大幅に減少し、デバイスの高速動作が可能でライフタイムキラーを必要とせずデバイスの耐圧設計に余裕をとる必要もない半導体装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成された半導体装置の電流の方向が、半導体基板表面と裏面の間に流れるような構成の半導体装置において、表面に形成された半導体装置の裏面の一部を開口して前記半導体基板の厚さを薄くし、前記半導体基板の薄くした部分に金属電極を設け、前記厚さの薄い半導体基板は裏面に厚い基板を周辺部に備えて支持する額縁構造を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/329

FI (10)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 653 D ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/44 B ,  H01L 21/78 L ,  H01L 29/50 B ,  H01L 29/78 658 K ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/91 A

F-Term (9)：

4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20