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J-GLOBAL ID：200903016276963898

半導体装置とその製造方法

Inventor： 吉田 浩介
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999039475
Publication number (International publication number)：2000243950
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 集積度を向上させた横形高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板3上に形成されたフィールド酸化膜6で囲まれた活性領域に形成された低濃度の第2導電型のソース及びドレイン拡散領域4と、前記ソース、ドレイン拡散領域間のチャンネル領域15上に設けられるゲート電極7と、前記ソース及びドレイン拡散領域4とゲート電極7を覆うように全面に形成された酸化膜11と、この酸化膜11に開口され、且つ、前記ソース、ドレイン拡散領域4上の少なくとも一方の領域に開口された開口部11a内に堆積させたノンドープ半導体10と、このノンドープ半導体10上部に形成された高濃度の第2導電型の拡散層9と、前記酸化膜11とノンドープ半導体10を覆って全面に形成した層間絶縁膜12と、前記層間絶縁膜12に形成され、且つ、前記ノンドープ半導体10上部に形成された高濃度の第2導電型の拡散層9に接続するコンタクトプラグ2とで構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜で囲まれた活性領域に形成された低濃度の第2導電型のソース及びドレイン拡散領域と、前記ソース、ドレイン拡散領域間のチャンネル領域上に設けられるゲート電極と、前記ソース及びドレイン拡散領域とゲート電極を覆うように全面に形成された酸化膜と、この酸化膜に開口され、且つ、前記ソース、ドレイン拡散領域上の少なくとも一方の領域に開口された開口部内に堆積させたノンドープ半導体と、このノンドープ半導体上部に形成された高濃度の第2導電型の拡散層と、前記酸化膜とノンドープ半導体を覆って全面に形成した層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成され、且つ、前記ノンドープ半導体上部に形成された高濃度の第2導電型の拡散層に接続するコンタクトプラグとで構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 301 X

F-Term (32)：

5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ06 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK06 ,  5F033NN08 ,  5F033NN13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP07 ,  5F033RR04 ,  5F033SS12 ,  5F033TT08 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX00 ,  5F040DA00 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040EF11 ,  5F040EH02 ,  5F040EH03 ,  5F040EH07 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FC06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-274674   Applicant：大見忠弘
• 特開平4-196275