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J-GLOBAL ID：200903016283319090

半導体装置の製造方法

Inventor： 笹田 一弘
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057174
Publication number (International publication number)：2001244327
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】酸化膜耐圧の劣化や逆狭チャネル効果を抑えるた丸め酸化方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1上に、トレンチ形成用マスク3を設け、このマスク3を用いて基板1を除去してトレンチ4を形成する。トレンチ4形成後、コーナー部は酸化膜で覆われずに、トレンチ側壁部は酸化膜で覆うように酸化制御用酸化膜5を形成した後、熱酸化によりトレンチコーナー部分を丸める。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、トレンチ形成用マスクを設け、このマスクを用いて半導体基板を除去してトレンチを形成し、このトレンチを酸化膜で埋め戻し、素子分離領域を形成する半導体装置の製造方法において、トレンチ形成後、コーナー部は酸化膜で覆われずに、トレンチ側壁部は酸化膜で覆うように酸化制御用絶縁膜を形成した後、熱酸化によりトレンチコーナー部分を丸めることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/76 L

F-Term (28)：

5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AA49 ,  5F032AA54 ,  5F032AA70 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA09 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ06