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J-GLOBAL ID：200903016289447716

電界効果型トランジスタおよびそれを用いた光スイッチング素子

Inventor： 白石 誠司 ,  阿多 誠文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 大石 皓一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166002
Publication number (International publication number)：2001210829
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電子などのキャリアの移動速度の低下を防止することができ、動作速度の速いフラーレンを用いた電界効果型トランジスタおよび良好なスイッチング特性を有する光スイッチング素子を提供する。【解決手段】 ゲート材料として、フラーレンポリマーを用いたことを特徴とする電界効果型トランジスタおよびその構造に、フラーレンポリマーを含むことを特徴とする光光スイッチング素子。

Claim (excerpt)：

ゲート材料として、フラーレンポリマーを用いたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  C01B 31/02 101 ,  H01L 31/0248

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 31/08 F ,  H01L 31/08 H

F-Term (23)：

4G046CA04 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  5F088AA11 ,  5F088AB02 ,  5F088AB04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32