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J-GLOBAL ID：200903016294686869

圧電/電歪膜型素子

Inventor： 武内 幸久 ,  木村 浩二
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 石田 喜樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992358979
Publication number (International publication number)：1994204580
Application date： Dec. 26, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 圧電/電歪作動部(2) が膜形成法によって形成され、且つセラミック基板(3) と圧電/電歪作動部(2) とから成る部分が、セラミック基板(3) 側へ凸状に湾曲していることを特徴とする圧電/電歪膜型素子(1) 。【効果】 相対的に低作動電圧で大きな変位が得られ、強度に優れた圧電/電歪膜型素子を実現することができる。しかも、応答速度が早く発生力が大きいばかりか、信頼性も高く、高集積化が可能である。

Claim (excerpt)：

薄肉のセラミック基板と、その基板上に形成された電極及び圧電/電歪層から成る圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪作動部が膜形成法によって形成され、且つ前記セラミック基板と圧電/電歪作動部とから成る部分が、セラミック基板側へ凸状に湾曲していることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。