窒化けい素回路基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996245105
Publication number (International publication number)：1998093211
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】放熱性および構造強度に優れ、冷熱サイクルが付加された場合等においても、セラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、信頼性や製造性に優れる窒化けい素回路基板を提供する。【解決手段】希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板1と、この高熱伝導性窒化けい素基板1に接合された金属板2,3とを具備する窒化けい素回路基板4Bにおいて、前記金属板2の外周端部に、傾斜部2aまたは段部2bなどの薄部が形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

希土類元素を酸化物に換算して1.0〜17.5重量%、不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Mg,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下(検出限界としての0重量%を含む)含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の外周端部に薄部が形成されていることを特徴とする窒化けい素回路基板。

IPC (4)：

H05K 1/03 610 , C04B 35/584 , H01L 23/14 , H05K 1/02

FI (4)：

H05K 1/03 610 D , H05K 1/02 A , C04B 35/58 102 K , H01L 23/14 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192561 Applicant：株式会社東芝
高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192559 Applicant：株式会社東芝
電子回路基板の製造方法及び該方法に用いる金属回路板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-336291 Applicant：株式会社アロン社

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