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J-GLOBAL ID：200903016317538315
多結晶半導体薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992313176
Publication number (International publication number)：1994163404
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 結晶化後の特性に悪影響を与える不純物を用いることなく、結晶成長の制御をより自由にかつ高精度に行うことができ、大粒径の結晶粒を有する多結晶半導体薄膜を得ることを可能とする方法を提供する。【構成】 非晶質シリコン薄膜2に光を照射しつつ加熱することにより結晶化を促進し、多結晶シリコン薄膜3を製造する方法。
Claim (excerpt)：
非晶質半導体薄膜に光を照射しつつ加熱することにより結晶化を促進し、多結晶半導体薄膜を得ることを特徴とする、多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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