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J-GLOBAL ID:200903016318185955
誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998082142
Publication number (International publication number):1999071171
Application date: Mar. 27, 1998
Publication date: Mar. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】高周波領域において高い誘電率及び高いQ値を有するとともに、共振周波数の温度係数τfを安定に小さく制御できる誘電体磁器組成物を得る。【解決手段】金属元素として少なくとも希土類元素(Ln),Al,Sr,Tiを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をaLn<SB>2 </SB>O<SB>x </SB>・bAl<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・cSrO・dTiO<SB>2 </SB>と表した時、前記a、b、c、d及びxが、0.2194<a≦0.4500、0.2194<b≦0.4500、0.1000≦c≦0.4610、0.1000≦d≦0.4610、 3≦x≦4、(ただしa+b+c+d=1)と表される組成範囲内に調整する。
Claim (excerpt):
金属元素として少なくとも希土類元素(Ln)、Al、Sr、Tiを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式をaLn<SB>2 </SB>O<SB>x </SB>・bAl<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・cSrO・dTiO<SB>2 </SB>と表したとき、前記a、b、c、d及びxが0.2194<a≦0.45000.2194<b≦0.45000.1000≦c≦0.46100.1000≦d≦0.46103≦x≦4(ただし a+b+c+d=1) の範囲内の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
IPC (4):
C04B 35/46
, H01B 3/12 319
, H01G 4/12 358
, H01P 7/10
FI (5):
C04B 35/46 C
, H01B 3/12 319
, H01G 4/12 358
, H01P 7/10
, C04B 35/46 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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特開平3-261653
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特公平8-025794
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誘電体磁器組成物および誘電体共振器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-115562
Applicant:京セラ株式会社
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マイクロ波用誘電体セラミックス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-089039
Applicant:沖電気工業株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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ON THE PEROVSKITE-RELATED MATERIALS OF HIGH DIELECTRIC PERMITITVITY WITH SMALL TEMPERATURE DEPENDENC
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