Pat

J-GLOBAL ID：200903016360539384

酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法

Inventor： 田中 弘明 ,  吉田 明利 ,  市川 真也 ,  小島 孝仁
Applicant, Patent owner： スピードファム株式会社
Agent (1)： 田中 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999265968
Publication number (International publication number)：2001093866
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【目的】タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム等、比較的高硬度の酸化物単結晶ウェーハの効率的ポリッシング加工を行う研磨用組成物、及びそれを用いた酸化物単結晶ウェーハの鏡面加工を行なう方法を提供する。【構成】BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径が8〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径が12〜400nmである酸化珪素粒子を溶液全体に対して3〜30重量%含むコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であり、かつpHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用の研磨用組成物である。該研磨用組成物は、平均一次粒子径Aと、平均二次粒子径Bとの比率、B/Aが1.4から30の範囲にあることが好ましい。

Claim (excerpt)：

BET法により測定した比表面積より真球換算で算出した平均一次粒子径が8〜150nmであり、かつマイクロトラックUPAによるレーザー散乱法で測定した平均二次粒子径が12〜400nmである酸化珪素粒子を溶液全体に対して3〜30重量%含むコロイド溶液であり、更に25°Cにおける導電率が酸化珪素1重量%あたり10mS/m以上であるように導電性を与える成分を含有し、かつpHが8〜11の間にあることを特徴とする酸化物単結晶ウェーハ用の研磨用組成物。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550

FI (2)：

H01L 21/304 622 D ,  C09K 3/14 550 D