レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996288524
Publication number (International publication number)：1998133377
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】短波長領域で露光可能な透明性、感度、解像性、そしてドライエッチング耐性を兼ね備えるとともに、基板に対する密着力に優れたレジストパターンを形成できるレジスト組成物の提供。【解決手段】化学増幅型のレジスト組成物において、自体塩基性水溶液に不溶な重合体であって、(A)特定の保護基で保護されたカルボン酸あるいはフェノールを有するモノマー単位I及び(B)環状カーボネート部分を含むエステル基又はエーテル基を有するモノマー単位IIを含みかつ、前記モノマー単位Iの保護基が酸の作用により脱離した時、塩基性水溶液に可溶性となり得る重合体からなる基材樹脂と、結像用放射線を吸収して分解すると前記モノマー単位Iの保護基の脱離を惹起し得る酸を発生可能である光酸発生剤とを組み合わせて含んでなるように構成する。

Claim (excerpt)：

自体塩基性水溶液に不溶な重合体であって、(A)エステル基、エーテル基、アセタール基及びケタール基からなる群から選ばれた酸で脱離可能な保護基で保護されたカルボン酸あるいはフェノールを有するモノマー単位I及び(B)環状カーボネート部分を含むエステル基又はエーテル基を有するモノマー単位IIを少なくともその構造中に含みかつ、前記モノマー単位Iの保護基が酸の作用により脱離した時、塩基性水溶液に可溶性となり得る重合体からなる基材樹脂と、結像用放射線を吸収して分解すると前記モノマー単位Iの保護基の脱離を惹起し得る酸を発生可能である光酸発生剤とを組み合わせて含んでなることを特徴とする、塩基性水溶液で現像可能なレジスト組成物。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (7)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/039 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 569 F , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

化学増幅型レジストとレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235253 Applicant：富士通株式会社
レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-060469 Applicant：富士通株式会社
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-156818 Applicant：富士通株式会社

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