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J-GLOBAL ID：200903016362244128
不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993080069
Publication number (International publication number)：1994268181
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 EEPROMの記憶容量を増大させる。【構成】 書き込み時、ソース3の電位をフローティングにし、ドレイン2に0V、1V、2V及び3Vの中から選択された所定の電圧を印加し、そのタイミングで制御ゲート100に10〜15V程度のパルス電圧を印加する。これにより、メモリセルのしきい値は7V、5V、3V及び1Vのいずれかになり、夫々の状態をデータ“11”、“10”、“01”及び“00”に対応させる。従って、1個のメモリセルに4値のデータを記憶させることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板内に形成されたドレイン及びソースと、前記ドレイン及びソースの間に配されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた浮遊ゲートと、前記浮遊ゲート上に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲートとを有するメモリセルの入力データを書き込むことが可能な不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法であって、前記ドレインに所定の電圧を印加し、前記制御ゲートにパルス状の電圧を印加することにより前記メモリセルのしきい値電圧を設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
IPC (4)：
H01L 27/115
, G11C 16/04
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 308
, H01L 29/78 371
Cited by examiner (6)
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