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J-GLOBAL ID:200903016366440568

気相成長装置用基板加熱制御装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中沢 謹之助 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994284610
Publication number (International publication number):1996111385
Application date: Oct. 11, 1994
Publication date: Apr. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 気相成長過程にある基板の表面温度を所望値に正確に維持することを目的とする。【構成】 原料ガスの投入直前で非回転状態にある基板の表面に、第1の温度測定器の感温部を直接接触させて、基板の表面温度を計測し、その表面温度が所望表面温度となるようにヒータを制御する。そのときのサセプタの内部の第2の温度測定器による測定温度をメモリーする。そのあと第1の温度測定器の感温部を基板の表面から離した状態で、基板を回転させて気相成長を行なう。その成長過程で第2の温度測定器による測定値が、さきにメモリーされた温度値を維持するようにヒータを制御する。
Claim (excerpt):
原料ガスの投入直前での非回転状態にある基板、または前記基板を表面で支持するサセプタの表面に感温部が接触することにより、前記基板の表面温度を測定して、表面温度値を出力する第1の温度測定器と、前記サセプタの内部に配置されてあって、前記サセプタの内部の温度を測定する第2の温度測定器と、前記サセプタを介して前記基板を加熱するヒータと、前記表面温度値と前記基板の所望表面温度値とを比較し、両温度値の差がなくなるまで、前記ヒータを制御する信号を出力する比較手段と、前記両温度値の差がなくなるときの前記第2の温度測定器による測定値をメモリするメモリ手段と、前記第1の温度測定器の感温部を前記基板または前記サセプタの表面から隔離し、前記基板の回転状態での気相成長過程における前記第2の温度測定器の測定値が、前記メモリ手段のメモリ値を維持するように、前記ヒータを制御する制御手段とを具備してなる気相成長装置用基板加熱制御装置。
IPC (3):
H01L 21/205 ,  C30B 25/12 ,  C30B 31/14

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