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J-GLOBAL ID:200903016389231800

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 村山 光威
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005116661
Publication number (International publication number):2006295027
Application date: Apr. 14, 2005
Publication date: Oct. 26, 2006
Summary:
【課題】回路動作周波数や周辺環境などの変化に対応して、電源ラインあるいはグランドラインを介して伝達するノイズや漏れ信号を抑制して安定化させ、誤動作や特性劣化を防止する。【解決手段】半導体基板上に形成された複数の回路ブロック101,102間に、ノイズや漏れ信号を抑制するために複数のコンデンサC101〜C104とスイッチ素子S101〜S104を設け、このスイッチ素子S101〜S104を動作させて、ノイズや漏れ信号が最小となる最適な接続状態に係る情報を得て、この情報を不揮発性記憶装置111に記憶する。不揮発性記憶装置111の前記情報に基づいて最適なスイッチ接続状態を保持することにより、ノイズや漏れ信号を抑制して安定化させ、誤動作や特性劣化を防止する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成された複数の回路ブロックと、電源ラインとグランドラインに接続される少なくとも1つのバイパスコンデンサと、前記バイパスコンデンサと電源グランドラインを接続する少なくとも1つのスイッチと、前記スイッチに接続した不揮発性記憶装置とを備え、前記スイッチによる前記バイパスコンデンサの接続状態を変化させて得られる、ノイズあるいは漏れ信号などが最小となる前記接続状態の情報を、前記不揮発性記憶装置に記憶させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 17/16
FI (4):
H01L27/04 V ,  H03K17/16 H ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 H
F-Term (31):
5F038AC20 ,  5F038AV08 ,  5F038AV13 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20 ,  5J055AX25 ,  5J055AX28 ,  5J055BX16 ,  5J055BX17 ,  5J055CX27 ,  5J055DX12 ,  5J055DX73 ,  5J055DX83 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ12 ,  5J055EZ29 ,  5J055FX05 ,  5J055FX12 ,  5J055FX18 ,  5J055FX22 ,  5J055FX31 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-324252   Applicant:日本電気株式会社

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