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J-GLOBAL ID:200903016397437964
冷電子放出素子及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995072121
Publication number (International publication number):1996273515
Application date: Mar. 29, 1995
Publication date: Oct. 18, 1996
Summary:
【要約】【目的】 電流の分配率が大きく、しかも、簡単な製造工程で作製することができる冷電子放出素子及びその製造方法を提供する。【構成】 エミッタ11を平板状とし、その上面11aを略円形または多角形のいずれかの形状とし、上面11aとその側面11bとの端縁11cを断面鈍角としたことを特徴とする。
Claim (excerpt):
エミッタを平板状とし、その上面を略円形または多角形のいずれかの形状とし、該上面とその側面との端縁を断面鈍角としたことを特徴とする冷電子放出素子。
IPC (2):
FI (2):
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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冷陰極電子源素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-337964
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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特開平4-359831
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