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J-GLOBAL ID:200903016400011302

プラスチックス基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大石 征郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996093654
Publication number (International publication number):1997254334
Application date: Mar. 23, 1996
Publication date: Sep. 30, 1997
Summary:
【要約】【課題】 プラスチックス基板にさらに改良を加えることにより、最良の品質のプラスチックス基板を得ることを目的とする。【解決手段】 プラスチックス基板(1) のうち透明電極を形成する側の面をA面、その反対側の面をB面と名付ける。基板(1) のA面側の外層は硬化型樹脂硬化物層(11)で構成され、B面側の外層は硬化型樹脂硬化物層(12)で構成され、これら両外層で挟まれた内部側には少なくとも1層の有機の耐透気性層(13a) と少なくとも1層の無機の耐透気性層(13b) とからなる耐透気性層(13)が存在し、さらに、A面側の硬化型樹脂硬化物層(11)およびB面側の硬化型樹脂硬化物層(12)のの表面は、いずれも平滑に形成されると共に、その平滑な表面上に、スパッタリング法によるSiOx( 1.2<x<2)からなる最外層(11'), (12')が形成される。
Claim (excerpt):
プラスチックス基板(1) のうち透明電極を形成する側の面をA面、その反対側の面をB面と名付けるとき、該基板(1) のA面側の外層は硬化型樹脂硬化物層(11)で構成され、B面側の外層は硬化型樹脂硬化物層(12)で構成され、これら両外層で挟まれた内部側には少なくとも1層の有機の耐透気性層(13a) と少なくとも1層の無機の耐透気性層(13b) とからなる耐透気性層(13)が存在し、さらに、A面側の硬化型樹脂硬化物層(11)の表面は平滑に形成されると共に、その平滑な表面上に、スパッタリング法によるSiOx( 1.2<x<2)からなる最外層(11') が形成され、B面側の硬化型樹脂硬化物層(12)の表面は平滑に形成されると共に、その平滑な表面上に、スパッタリング法によるSiOx( 1.2<x<2)からなる最外層(12') が形成されていることを特徴とするプラスチックス基板。
IPC (6):
B32B 27/08 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/20 ,  G02F 1/1333 500
FI (6):
B32B 27/08 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/10 ,  C23C 14/20 A ,  G02F 1/1333 500
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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