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J-GLOBAL ID：200903016403621578

半導体発光素子

Inventor： 辻村 歩 ,  長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大塚 信之 ,  鈴木 政勝 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999299644
Publication number (International publication number)：2001119105
Application date： Oct. 21, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体におけるp型層の低抵抗化、c軸配向性分布の改善を行い、発光素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。

Claim (excerpt)：

少なくともIII族元素およびNを含有するp型伝導層に、ドナー性不純物が1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (14)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• III族窒化物レーザダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-085226   Applicant：富士電機株式会社