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J-GLOBAL ID：200903016431222948

半導体発光素子

Inventor： 若月 温 ,  河村 裕一 ,  岩村 英俊
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991217874
Publication number (International publication number)：1993041562
Application date： Aug. 02, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高品質で、かつDFB化も容易なInGaAs/InGaAlAs系レーザ等の半導体発光素子を実現する。【構成】 第1導電形のInP半導体基板1上に、クラッド層となる第1導電形を有する第1の半導体層2と、ガイド層となる第2の半導体層12と、活性層となる第3の半導体層4と、ガイド層となる第4の半導体層11と、クラッド層となる第2導電形を有する第5の半導体層6と、電極層となる第2導電形を有する第6の半導体層7とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層4がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層11,12をIn(1-u)Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)とした。

Claim (excerpt)：

第1の導電形のInP半導体基板上に、クラッド層となる第1の導電形を有する第1の半導体層と、ガイド層となる第2の半導体層と、活性層となる第3の半導体層と、ガイド層となる第4の半導体層と、クラッド層となる第2の導電形を有する第5の半導体層と、電極層となる第2の導電形を有する第6の半導体層とを順次積層した構造の半導体発光素子において、活性層となる第3の半導体層がIn(1-x-y) Gax Aly As量子井戸層(0≦x,y≦1)及びIn(1-X-Y) GaX AlY As障壁層(0≦X,Y≦1)を積層した多重量子井戸構造からなり、ガイド層となる第2、及び第4の半導体層をIn(1-u) Gau As(1-v) Pv 半導体層(0≦u,v≦1)としたことを特徴とする半導体発光素子。