Pat

J-GLOBAL ID：200903016438484891

磁気抵抗読取変換器およびその製造方法

Inventor： マオ・ミン・チェン ,  チン・ホワ・ツァン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224373
Publication number (International publication number)：1993217126
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【構成】 MR層12と、このMR層に直接接触する反強磁性材料の層14と、この反強磁性材料の層に接触する相互拡散材料の層18とを有する積層構造を所定の範囲の温度に所定の時間加熱して、反強磁性材料とMR層との間に磁気界面を形成させた、磁気抵抗読取変換器10が提供される。【効果】 磁気界面が、MR層に対する高レベルの交換バイアスを生成する。

Claim (excerpt)：

強磁性材料の薄い磁気抵抗層を付着させる工程と、上記磁気抵抗層に直接接触して反強磁性材料の薄い層を付着させる工程と、上記反磁性材料層に接触して相互拡散材料の薄い層を付着させる工程と、上記積層構造を、所定の範囲の温度に所定の時間加熱して、上記反強磁性材料と上記磁気抵抗層との間に磁気界面を形成し、これにより、上記磁気界面が上記磁気抵抗層に対する交換バイアス磁界を形成する工程とを含む、磁気抵抗読取変換器アセンブリを製造する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-248578